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>> 二三极管 场效应 晶(jīng)闸管等
>> 场效应管
- 名称:IRFZ48N
- 描(miáo)述:TO-220 N沟(gōu)道(dào),通态漏极电流ID=64A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=55V,漏源电阻(zǔ)RDS(on)0.014欧
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 3.7
- 3.3
-
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- 名称(chēng):IRF1404
- 描述:TO-220 N沟道,漏极电流(liú)ID=162A at 25摄氏度,漏源击穿电压(yā)VDSS=40V,漏源电(diàn)阻RDS(on)<=0.004欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=95A,耗散(sàn)功率PD=200W at 25摄(shè)氏度
- 数量
- 1
- 50
- 100
- 价格
- 5.0
- 4.3
- 另议
-
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- 名(míng)称:IRF2807
- 描述(shù):TO-220 N沟(gōu)道(dào),82A,75V,0.013欧
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 3.7
- 3.3
-
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- 名称:2N60
- 描述:TO-251 N沟道,通态(tài)漏极(jí)电流(liú)ID=2A at 25摄氏度,漏(lòu)源击穿电压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压(yā)VGS=10V 漏(lòu)极电流ID=1A,耗散(sàn)功率(lǜ)PD=45W at 25摄氏度
- 数量(liàng)
- 1
- 50
- 价格(gé)
- 1.5
- 1.15
-
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- 名(míng)称:2N60L-TN3
- 描述:TO-252 品牌UTC N沟道,漏极电流(liú)ID=2A at 25摄(shè)氏(shì)度,漏源(yuán)击穿电压VDSS=600V,漏源电阻(zǔ)RDS(on)<=5欧 at 栅源电(diàn)压VGS=10V 漏(lòu)极(jí)电流ID=1A,耗散功率PD=45W at 25摄氏度
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 1.5
- 1.2
-
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- 名(míng)称:8205A
- 描述:TSSOP8 品牌HXY 2个(gè)N沟(gōu)道 20V 6A 23m欧
- 数(shù)量
- 1
- 50
- 价格
- 0.55
- 0.45
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- 描述:SOT89 品(pǐn)牌ROHM/罗姆 N沟道,通态漏极电流ID=2A at 25摄氏度,漏源击穿(chuān)电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=0.15欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=2A
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 1.8
- 1.55
-
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- 名称:8N60C
- 描述:TO-220 N沟道,漏极(jí)电(diàn)流ID=7.5A at 25摄(shè)氏度,漏(lòu)源击穿电压VDSS=600V,漏源(yuán)电阻RDS(on)<=1.2欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流(liú)ID=3.75A,耗散功率PD=147W at 25摄氏度
- 数量
- 1
- 50
- 价格(gé)
- 3.5
- 2.8
-
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- 名(míng)称:FQP6N80C
- 描述:TO-220 进口仙童/ON N沟道,通态漏极电流(liú)ID=5.5A at 25摄氏(shì)度,漏源击穿电压(yā)VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)<=2.5欧 at 栅源电压(yā)VGS=10V 漏极电流ID=2.75A,耗散功率PD=158W at 25摄氏度
- 数量(liàng)
- 1
- 50
- 价格
- 4.2
- 另议
-
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- 名称(chēng):FQP8N80C
- 描述:TO-220 进口(kǒu)仙童N沟道(dào),通态漏(lòu)极电(diàn)流ID=8A at 25摄氏度,漏(lòu)源(yuán)击穿电压VDSS=800V,漏(lòu)源电阻RDS(on)<=1.55欧 at 栅源电压VGS=10V 漏(lòu)极(jí)电流ID=4A,耗散(sàn)功率PD=178W at 25摄氏度
- 数量
- 1
- 50
- 价格(gé)
- 7
- 另议
-
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- 名称:10N60B
- 描述:TO-220F N沟(gōu)道,漏极电流ID=9A at 25摄氏度,漏源击(jī)穿(chuān)电(diàn)压VDSS=600V,漏源电阻(zǔ)RDS(on)<=0.8欧 at 栅源(yuán)电压VGS=10V 漏极电流ID=9A,耗散功率PD=50W at 25摄氏度(dù)
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 4
- 3.25
-
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- 名称(chēng):SVF12N65F
- 描述:TO-220F 品牌士兰(lán)微 N沟道,12A 650V 0.64欧姆
- 数量
- 1
- 50
- 价(jià)格
- 2
- 另议(yì)
-
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- 名称:P60NF06
- 描述:TO-220 进(jìn)口ST N沟道(dào),漏极(jí)电流ID=16A at 25摄氏(shì)度,漏(lòu)源(yuán)击穿(chuān)电压VDSS=60V,漏(lòu)源电阻RDS(on)<=0.1欧 at 栅源(yuán)电(diàn)压VGS=10V 漏极电流ID=8A,耗(hào)散功率PD=45W at 25摄氏度(dù)
- 数量
- 1
- 50
- 价(jià)格
- 4.4
- 4
-
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- 名称(chēng):IPP15N03L
- 描述:TO-220 品牌infineon N沟道(dào),漏极电流ID=42A at 25摄氏度,漏源击(jī)穿电压VDSS=30V,漏源电阻RDS(on)<=0.0126欧 at 栅源电压VGS=10V 漏(lòu)极电流ID=21A,耗散功率PD=83W at 25摄氏度
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 7
- 时价
-
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- 名称(chēng):K1249(2SK1249)
- 描述:TO-3P N沟道,漏源击穿(chuān)电压VDSS=500V,漏(lòu)极(jí)电流ID=15A 进口
- 数量
- 1
- 50
- 价(jià)格(gé)
- 11.5
- 另议
-
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- 描述:TO-220 N沟道,漏源击穿电压VDSS=500V,漏源电阻(zǔ)RDS(on)=0.04欧 at 栅源电压VGS=+-30V 漏极电流(liú)ID=12A,耗散功率PD=40W
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 4.5
- 3.7
-
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- 名(míng)称:SSP7N80A
- 描述:TO-220 N沟(gōu)道,漏(lòu)源(yuán)击穿电压(yā)VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)=1.8欧 漏极电流ID=7A
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 8
- 另议
-
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- 名称(chēng):FQA70N10
- 描述(shù):TO-3P 品牌ON N沟道,100V,70A,23毫欧
- 数(shù)量
- 1
- 50
- 价格
- 14
- 另(lìng)议
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- 名称:FDA70N20
- 描述:TO-3PN 品牌FAIRCHILD N沟道,200V,70A,35毫欧
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 19
- 另议
-
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- 名称:FDA18N50
- 描(miáo)述:TO-3PN 品牌安森(sēn)美 N沟道,500V,19A,265毫欧
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 12
- 另议
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- 名称:FQP30N06L-VB
- 描述:TO-220 品牌(pái)微碧(bì) N沟道(dào),漏源击穿电压VDSS=100V,漏(lòu)源(yuán)电阻RDS(on)=0.127欧(ōu) 漏极电流ID=18A
- 数(shù)量
- 1
- 50
- 价格
- 3.2
- 另议
-
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- 名称(chēng):RFP25N05
- 描述:TO-220 品(pǐn)牌FSC N沟道,漏源击穿电压(yā)VDSS=50V,漏源电(diàn)阻RDS(on)=0.047欧(ōu) 漏极电(diàn)流ID=25A
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 7
- 另议
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- 名称:FQP27P06
- 描述:TO-220 友台半导体 P沟(gōu)道(dào),漏(lòu)源击穿电压VDSS=60V,漏(lòu)源(yuán)电阻RDS(on)=0.07欧 漏极(jí)电流ID=13.5A
- 数(shù)量
- 1
- 50
- 价格
- 2.7
- 另议
-
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- 描述:TO-220 国产(chǎn)大芯片 P沟道,漏源(yuán)击穿电压VDSS=50V,漏源电(diàn)阻(zǔ)RDS(on)=0.065欧 漏极(jí)电流ID=30A
- 数量
- 1
- 50
- 价格
- 3.5
- 另议(yì)
-
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- 名称:RFP30P05 翻新
- 描述:TO-220 品牌(pái)FSC P沟道,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.065欧(ōu) 漏极电流(liú)ID=30A
- 数(shù)量(liàng)
- 1
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- 4.5
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